本发明公开了一种氧化硅‑碳丝活性材料。该材料由碳丝和氧化硅组成，碳丝占总质量的10％～30％。制备方法：将氧化硅在氩气环境下高能球磨10～30小时，将获得的前驱体置于铜箔包裹的刚玉舟内，再将刚玉舟至于化学气相沉积装置中，抽真空至≤1.0×10‑2Torr，通氩气至常压，然后开始升温，在升温过程中通保护气体和还原气体，升温至1000～1200℃下保持1～3小时，再降到900～1100℃时，通入碳源气体并保持1～3h后，自然冷却至室温。本发明在氧化硅表面生长碳丝，提高了氧化硅的循环稳定性；并且有效地抑制了氧化硅在嵌锂和脱锂过程中的体积变化，使得氧化硅具有高的循环稳定性、首次库伦效率和导电性。

本发明公开了一种氧化硅‑碳丝活性材料。该材料由碳丝和氧化硅组成，碳丝占总质量的10％～30％。制备方法：将氧化硅在氩气环境下高能球磨10～30小时，将获得的前驱体置于铜箔包裹的刚玉舟内，再将刚玉舟至于化学气相沉积装置中，抽真空至≤1.0×10‑2Torr，通氩气至常压，然后开始升温，在升温过程中通保护气体和还原气体，升温至1000～1200℃下保持1～3小时，再降到900～1100℃时，通入碳源气体并保持1～3h后，自然冷却至室温。本发明在氧化硅表面生长碳丝，提高了氧化硅的循环稳定性；并且有效地抑制了氧化硅在嵌锂和脱锂过程中的体积变化，使得氧化硅具有高的循环稳定性、首次库伦效率和导电性。