本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin,所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy,其中m=0.010~0.018,n=0.018~0.024;x=0.014~0,y=0.022~0;并且,本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法,该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料,GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感,基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。
商品类型 | 专利 | 申请号 | 201310302799.5 | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 技术转让 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 |
¥ 3,000 元
面议
面议
面议