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半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
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挂牌 挂牌开始时间: 2021-11-25 信息披露期内,不支持交易
商品编号
45231092306257989182
商品权属
自有
转让方式
技术转让
价格
¥ 390,000 元

店铺信息

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电话 139xxxx6156
本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin,所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy,其中m=0.010~0.018,n=0.018~0.024;x=0.014~0,y=0.022~0;并且,本发明还公开了一种半导体激光器及其制作方法,该半导体激光器包括前述的有源区。本发明采用GaNAsBi材料作为半导体激光器有源区的材料,GaNAsBi的禁带宽度大小对温度极不敏感,基于该材料的激光器有源区拥有极佳的温度特性。
商品类型 专利 申请号 201310302799.5 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01S5/343
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
技术领域 电子信息 有效期至 长久有效 授权日
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