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一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器及其制备方法
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挂牌已结束 挂牌开始时间: 2021-11-25 剩余时间:已到期
商品编号
45230788305889345165
商品权属
自有
交易方式
技术转让
商品价格
¥ 700,000 元

店铺信息

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电话 139xxxx6156
本发明公开了一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器,包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子阱,在P型AlGaAs上波导层和P型AlGaAs或GaInP上限制层间设有P型AlGaAs电子阻挡层,在GaAs衬底和N型AlGaAs或GaInP下限制层间设有N型AlGaAs过渡层。所述半导体激光器外延结构在GaAs衬底上生长,具有比InP基激光器更低的生产成本,有较高的特征温度,能够有效阻止载流子溢出有源区,可以推广到垂直腔面发射激光器等其他类型的激光器。
商品类型 专利 申请号 201310176408.X IPC分类号
H01S5/343
专利类型 发明 法律状态 有权 技术领域
电子信息
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 专利权人
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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