本发明公开了一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器,包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子阱,在P型AlGaAs上波导层和P型AlGaAs或GaInP上限制层间设有P型AlGaAs电子阻挡层,在GaAs衬底和N型AlGaAs或GaInP下限制层间设有N型AlGaAs过渡层。所述半导体激光器外延结构在GaAs衬底上生长,具有比InP基激光器更低的生产成本,有较高的特征温度,能够有效阻止载流子溢出有源区,可以推广到垂直腔面发射激光器等其他类型的激光器。
商品类型 | 专利 | 申请号 | 201310176408.X | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 技术转让 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 |
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