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一种混合互连结构及其制造方法、电子装置
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本发明提供一种混合互连结构及其制造方法、电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成第一层间介电层;以及在所述第一层间介电层中分别形成铝互连线和铜互连线,其中,所述铝互连线用作信号线,所述铜互连线用作电源线。与单纯的铜互连结构相比,这种混合互连结构整体上具有较低的电阻,同时电迁移可靠性也没有下降,其可以适用于越来越小的半导体工艺尺寸。
商品类型 专利 申请号 CN201410538594.1 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01L21/768
交易方式 其他 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 先进制造与自动化 信息有效期至 长久有效 授权日
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