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一种FinFET器件的制作方法
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本发明提供一种FinFET器件的制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有鳍片;在所述鳍片的顶面形成硬掩膜层;对所述鳍片的两侧面分别进行第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入;去除所述硬掩膜层,以露出所述鳍片的顶面;对所述鳍片的顶面进行垂直离子注入;执行退火工艺。根据本发明的方法在鳍片的顶面上形成硬掩膜层后,避免两次倾斜离子注入对鳍片的顶面造成的非晶化影响的产生,进而减少了鳍片中离子注入引起的缺陷,提高了器件的性能和良率。
商品类型 专利 申请号 CN201410272670.9 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01L21/336
交易方式 其他 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 先进制造与自动化 信息有效期至 长久有效 授权日
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