半导体器件的形成方法
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一种半导体器件的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有第一器件区域和第二器件区域,所述第一器件区域和第二器件区域分别具有栅极结构;形成覆盖所述半导体衬底表面和栅极结构的遮蔽层;形成掩膜层,所述掩膜层覆盖所述第一器件区域的遮蔽层;减薄所述掩膜层,暴露出第一器件区域的栅极结构上遮蔽层的顶表面;刻蚀所述第二器件区域栅极结构两侧的遮蔽层和半导体衬底,在所述第二器件区域的栅极结构两侧形成凹槽;在所述凹槽内形成锗硅层。本发明半导体器件的形成方法工艺控制简单,所形成的半导体器件性能佳。
商品类型 专利 申请号 CN201410664315.6 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01L21/8238
交易方式 排他许可 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 高技术服务 信息有效期至 长久有效 授权日
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